本年度报告摘要来自年度报告全文，为全面了解本公司的经营成果、财务状况及未来发展规划，投资者应当到证监会指定媒体仔细阅读年度报告全文。
中审亚太会计师事务所（特殊普通合伙）对本年度公司财务报告的审计意见为：标准的无保留意见。
公司经本次董事会审议通过的利润分配预案为：以公司现有总股本543,702,550股为基数，向全体股东每10股派发现金红利0.70元（含税），送红股0股（含税），以资本公积金向全体股东每10股转增0股。权益分派方案公布后至实施前，如公司总股本由于回购股份等原因发生变动的，将按照“现金分红总额、送红股总额、资本公积金转增股本总额固定不变”的原则，在方案实施公告中披露按公司最新股本总额计算的分配、转增比例。
公司是从事先进电子材料生产、研发和销售的高新技术企业，产品广泛应用于集成电路、平板显示、LED、第三代半导体、光伏和半导体激光器的生产制造。凭借领先的生产技术、强大的研发创新实力及扎实的产业化能力，公司已经在多个领域内打破国外长期技术垄断的局面，各类产品的技术、品质、产能和服务逐步跻身世界前列。
MO源系列产品是制备LED、新一代太阳能电池、相变存储器、半导体激光器、射频集成电路芯片等产品的核心原材料，在半导体照明、信息通讯、航空航天等领域有极其重要的作用。近年来，Mini LED等新型显示屏技术的快速发展也为公司MO源产品开拓了重要的新兴市场。
公司是国内拥有自主知识产权并实现了MO源全系列产品产业化生产的技术领先企业，亦是全球主要MO源制造商之一，在国内市场处于领导地位。产品不仅实现了国内进口替代，还远销欧美及亚太地区，积累了一大批稳定优质的客户资源。
经过二十多年的发展，公司已成长为集技术、研发、采购、生产、仓储和市场开发为一体的MO源综合性供应平台，在MO源的合成制备、纯化技术、分析检测、封装容器等方面已全面达到国际先进水平，产品纯度大于等于6N，可以实现MO源产品的全系列配套供应及定制化产品服务，在激烈的市场竞争中具有明显的竞争优势。
半导体前驱体材料是半导体制造的核心材料之一，主要应用于晶圆制造的薄膜沉积工艺。薄膜沉积工艺是集成电路制造的三大核心工艺之一，薄膜沉积工艺所产生的薄膜是构成集成电路微观结构的主要“骨架”，也是影响芯片性能的功能材料层。薄膜沉积工艺包括物理薄膜沉积（PVD）、化学气相反应薄膜沉积（CVD）和原子层薄膜沉积（ALD），而半导体前驱体材料是ALD和CVD薄膜沉积工艺的核心原材料，其中多数属于被国外厂商“卡脖子”的关键原材料。
依靠多年积累的高纯电子材料，尤其是高纯金属化合物的研发和生产经验，公司已经掌握了多种ALD/CVD前驱体材料的生产和封装技术。2016年，公司承接了02专项“ALD金属有机前驱体产品的开发和安全离子注入产品开发”的研发和产业化项目并于2021年通过验收，形成了我国高纯半导体前驱体的自主生产能力，打破了国外技术垄断。目前，公司已在02专项研发经验的基础上进一步研发和产业化多种前驱体材料，在品类上已覆盖晶圆制造所需的硅前驱体/金属前驱体、高K前驱体/低K前驱体的主要品类，并成功导入国内领先的逻辑芯片和存储芯片量产制程。
公司氢类电子特气主要包括磷烷、砷烷等，是集成电路和LED制备中的主要支撑材料。磷烷和砷烷为高纯特气家族中技术门槛和开发难度最高的两个品种，作为半导体、LED、光伏、航天和国防事业的关键原材料，长期被海外技术封锁。其中磷烷是半导体器件制造中的重要N型掺杂源，其可用于多晶硅化学气相沉淀、外延GaP材料、离子注入工艺、MOCVD工艺、磷硅玻璃钝化膜制备等工艺中。砷烷主要用于外延硅的N型掺杂、硅中的N型扩散、离子注入、生长砷化镓和磷砷化镓。
公司2013年承担国家02专项“高纯特种电子气体研发与产业化项目”，经过3年高强度的技术开发，成功实现了高纯砷烷、磷烷等特种电子气体的产业化，打破了国外技术封锁和垄断，为我国极大规模集成电路制造、民族工业振兴提供了核心电子原材料。
氢类电子特气产品由控股子公司全椒南大光电生产，纯度已达到6N级别，市场份额持续增长。同时氢类安全源电子特气产品在集成电路行业快速实现了产品进口替代，得到了广大客户的高度认可。在不断开拓现有产品市场的同时，公司也在积极开发新产品。经过持续的技术升级和市场拓展，公司氢类电子特气在技术、品质、产能和销售各方面已跃居世界前列。
含氟电子特气是应用于微电子工业（如集成电路、平板显示、太阳能薄膜等）的一种优良等离子蚀刻和清洗材料，其中三氟化氮广泛用于大规模集成电路、平板显示、薄膜太阳能的生产制造，六氟化硫广泛应用于输配电及控制设备行业，高纯六氟化硫可用于半导体材料的干法刻蚀清洗。
公司是国内主要的含氟电子特气生产企业，生产基地包括控股子公司飞源气体和南大微电子，产品主要有三氟化氮、六氟化硫及其副产品。公司凭借优质的产品品质及领先的技术水平，成为国内集成电路及平板显示领域多家领军企业的重要供应商。其中，南大微电子作为公司“高纯氟系电子材料项目”的实施主体，充分利用乌兰察布本土自然禀赋和市场优势，加快产能建设，抢占市场，进一步巩固了三氟化氮的成本和产能优势，提升公司氟类电子特气的竞争实力，为做强做大含氟电子材料、打造世界级氟硅电子材料基地奠定坚实的基础。
光刻胶及配套材料是光刻工艺中的关键材料，主要应用于集成电路和半导体分立器件的细微图形加工。
公司光刻胶技术研发始终坚持完全自主化路线，光刻胶研发中心具备了研制功能单体、功能树脂、光敏剂等光刻胶材料的能力，能够实现从光刻胶原材料到光刻胶产品及配套材料的全部自主化。公司正在自主研发和产业化的ArF光刻胶（包含干式及浸没式），将实现高端光刻胶的进口替代，提升国家关键材料领域自主可控水平，解决“卡脖子”技术难题。
2017及2018年，公司分别获得国家02专项“高分辨率光刻胶与先进封装光刻胶产品关键技术研发项目”和“先进光刻胶开发和产业化项目”的正式立项。经过几年的组织建设和技术攻关，上述项目分别于2020年和2021年通过国家02专项专家组的验收。
控股子公司宁波南大光电负责组织实施“ArF光刻胶开发和产业化项目”，研发的产品成为国内通过客户验证的第一只国产ArF光刻胶，标志着国产先进光刻胶产业化取得关键性的突破。目前公司产品已在下游客户存储芯片50nm和逻辑芯片55nm技术节点的产品上通过认证，同时多款产品正在多家客户进行认证，持续推动光刻胶及配套材料产品的研发、验证和产业化。
上述财务指标或其加总数是否与公司已披露季度报告、半年度报告相关财务指标存在重大差异
报告期内，公司向不特定对象发行可转换公司债券，由中证鹏元资信评估股份有限公司出具了《江苏南大光电材料股份有限公司2022年向不特定对象发行可转换公司债券信用评级报告》，评级结果为AA-，评级展望为稳定，评级日期为2022年4月25。